InGaAs PD

銦鎵砷光電二極體

選用高品質材料與先進製程,具備高靈敏度、低暗電流及寬頻響應等特性,適用於光通訊、光纖感測、光功率監測等應用,提供穩定、精準的光電轉換性能。
若有客製需求或合作開發的想法,也歡迎來信與我們討論。

圖示型號類型封裝方式波長 (nm)響應度 (A/W)暗電流 (nA)晶片尺寸 (µm)詳細規格
I-PD1000L-TO46TO46金屬封裝900~1650λ=1310nm 0.85~0.90
λ=1550nm TYP: 0.95
1.5nA / max5.0nA
VR= -5V
1150×1150(±30)Click
I-PD5000L-TO8TO8金屬封裝900~1650λ=1310nm 0.85~0.90
λ=1550nm TYP: 0.95
25nA / max125nA
VR= -1V
5250×5250(±30)Click
I-PD3000L-TO5TO5金屬封裝900~1650λ=1310nm 0.85~0.90
λ=1550nm TYP: 0.95
2nA / max5.0nA
VR= -3V
3250×3250(±30)Click
I-PD1000-SMDSMD表面貼裝900~1650λ=1310nm 0.85~0.90
λ=1550nm TYP: 0.95
1.5nA / max5.0nA
VR= -5V
1150×1250(±30)Click
I-PD010KL-C16SMD表面貼裝900~1650λ=1310nm 0.80~0.85
λ=1550nm TYP: 0.90
200nA / max2uA
VR= -0.1V
10250×10250(±30)Click

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