適用於大功率 DFB、EML、EML-SOA 類型晶片的老化篩選與壽命可靠性分析。
系統支援 恆流（LD & SOA）與恆壓（EA）同步輸出，可即時監測電流、電壓、光功率及溫度等參數，並自動判斷產品失效狀況。
同時支援 本地與遠端資料庫，可進行失效元件的數據分析與追溯。

規格書

產品特點

• 每路均提供完全獨立的恆流源與恆壓源。
• 採 TEC + 水冷 雙重控制，溫控範圍 25～120℃。
• 支援前光或背光功率偵測，前光採部分收光設計。
• 支援 COC 溫度線上監測^{_{（需 COC 具備 NTC 感測）}}。
• 透過不同夾具適配，可靈活支援 DFB / EML / Tunable COC 等多類型晶片老化。
• 單抽屜支援 2個魚骨夾具，每個夾具最多支援 48pcs 產品老化。
• 內建 LIV 掃描曲線功能，支援多種演算法計算 Ith。
• 支援 氮氣填充保護，適用於氣密型 COC 老化。
• 40個獨立抽屜老化單元，各抽屜皆可獨立溫控與參數設定。
• 可選配 UPS備援電源，於突發斷電時可維持系統運作 30 分鐘，避免數據遺失。
• 抽屜具備 自動吸入鎖緊機構 與 在位偵測功能，防止誤拔。
• 具備 硬體與軟體雙重超溫保護機制。
• 每個抽屜配置 EEPROM 晶片，可儲存抽屜編碼、插拔次數及生產資訊。
• 內建 EOS（過應力防護）機制，確保器件於老化過程中安全穩定。

技術規格

系統規格

項目	規格
系統容量	3840PCS(≤1A)
抽屜個數	40個
單層老化單元	10層

恆流源 / 恆壓源

項目	規格
LD 電流範圍	0~1A，精度 0.1%F.S±1mA
LD 電壓範圍	0~5V，精度 0.1%F.S±10mV
驅動電流穩定度	0.1%F.S±0.5mA
EA 電流範圍	0～150mA，精度 0.1%F.S±0.15mA
EA 電壓範圍	0~5V，精度 0.1%F.S±5mV

溫控參數

項目	規格
控溫方式	TEC + 水冷
溫度範圍	25℃～120℃
升 / 降溫速度	室溫至目標溫度 ＜20min； 目標溫度至室溫 ＜25min
溫度穩定性	≤±0.5℃，測試溫度 100°C
熱沉載台溫度均勻性	≤±1℃，空載 40℃～100℃； ≤±1.5℃，空載 100℃～120℃
溫度均勻性	≤±3℃，片上 NTC

功率檢測

項目	規格
前光監控 光功率範圍	0.01～200mW，（＞15mW 需要配衰减片）
前光監控 波長響應範圍	800～1700nm(可定製波長)
背光監控 電流範圍	0~2000uA，精度 0.1%F.S±5uA
背光監控 PD 電壓範圍	0~5V，精度 0.1%F.S±5mV